光电包装

· Research Grade , about 80 % useful  area

· SiO2(300nm)+50nm Si3N4  layer on 2" Silicon wafer( Both sides)

· Oxide layer thickness: 300 nm   ( 2000A)  +/-10%

· Si3N4 thickness:50nm( Both sides)

· Growth method - Dry oxidizing at 1000oC

Refractive index - 1.455

Note:  customized oxide layer available upon request from 50 nm - 1000 nm

Silicon Wafer Specifications:

· Conductive type:        Si   P type/ Boron doped  

· Resistivity:                  0.01-0.1 ohm-cm 

· Size:                          50.8 diameter +/- 0.5 mm x 0.250 +/- 0.025 mm 

· Orientation:                (100) +/- 0.5o 

· Polish:                        Both  sides  polished 

· Surface roughness:      < 5A

Optional:  you may need tool below to handle the wafer ( click picture to order )